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SSM6J214FE

Small Low ON resistance MOSFETs

Polarity:P-ch\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:日本 Drain current ID -3.6 A \nPower Dissipation PD 0.5 W \nDrain-Source voltage VDSS -30 V \nGate-Source voltage VGSS +/-12 V ;

Toshiba

东芝

SSM6J214FE

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

文件:215.3 Kbytes 页数:6 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM6J402TU(TE85L,F)

SOT23-6

SSM6K504NU

UDFN6B

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

SSM6K504NUMOS(场效应管)

UDFN6B

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

技术参数

  • Polarity:

    P-ch

  • VDSS(V):

    -30

  • VGSS(V):

    +/-12

  • ID(A):

    -3.6

  • PD(W):

    0.5

  • Ciss(pF):

    560

  • Qg(nC):

    7.9

  • =1.8V:

    0.1496

  • =2.5V:

    0.0776

  • =4.5V:

    0.057

  • =10V:

    0.05

  • Number of pins:

    6

  • Surface mount package:

    Y

  • Package name(Toshiba):

    ES6

  • Generation:

    U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm):

    1.6 x 1.6 x 0.55

  • Package Size(mm^2):

    2.56

  • Drive voltage type:

    Low Voltage Gate Drive

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更多SSM6J214FE供应商 更新时间2026-1-26 16:36:00