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SSM6J503NU	文件：244.53 Kbytes Page：6 Pages	Power Management Switch Applications PowerManagementSwitchApplications •1.5Vdrive •LowON-resistance:RDS(ON)=89.6mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=57.9mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=41.7mΩ(max)(@VGS=-2.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM6J503NU	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM6J503NU_14	文件：271.22 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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SSM6J503NU

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Power Management Switch Applications

PowerManagementSwitchApplications •1.5Vdrive •LowON-resistance:RDS(ON)=89.6mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=57.9mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=41.7mΩ(max)(@VGS=-2.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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