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SSM6J503NU数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

SSM6J503NU

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-6 23:00:00

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SSM6J503NU规格书详情

描述 Description

Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国

特性 Features

Drain current ID -6 A
Power Dissipation PD 1 W
Drain-Source voltage VDSS -20 V
Gate-Source voltage VGSS +/-8 V

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM6J503NU

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :P-ch

  • VDSS(V)

    :-20

  • VGSS(V)

    :+/-8

  • ID(A)

    :-6.0

  • PD(W)

    :1.0

  • Ciss(pF)

    :840

  • Qg(nC)

    :12.8

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V

    :0.0896

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V

    :0.0579

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V

    :0.0417

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V

    :0.0324

  • Number of pins

    :6

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :UDFN6B

  • Generation

    :U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.0 x 2.0 x 0.75

  • Package Size(mm^2)

    :4.00

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

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