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SSM6J424TU数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

SSM6J424TU

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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SSM6J424TU规格书详情

描述 Description

Feature:1.5-volt gate drive voltage
Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅥ
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:泰国

特性 Features

Drain current ID -6 A
Power Dissipation PD 1 W
Drain-Source voltage VDSS -20 V
Gate-Source voltage VGSS -8/+6 V

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM6J424TU

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Life-cycle

    :新产品

  • Package name(Toshiba)

    :UF6

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.0 x 2.1 x 0.7

  • AEC-Q101

    :Qualified(*)

  • Polarity

    :P-ch

  • VDSS(V)

    :-20

  • ID(A)

    :-6.0

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V

    :0.026

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V

    :0.0225

  • Qg(nC)

    :23.1

  • Tch(℃)

    :150

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

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