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R60	文件：711.98 Kbytes Page：8 Pages	型号：74438450300060；WE-MXGI SMT Power Inductor GeneralInformation: AmbientTemperature(referring toIRP)-40°Cupto+85°C OperatingTemperature-40°Cupto+125°C StorageConditions(inoriginal packaging)	WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany. 伍尔特伍尔特集团	WURTH
R6002ENH	文件：1.69183 Mbytes Page：14 Pages	型号：R6002ENH；Package：SOP8；Nch 600V 2A Power MOSFET lFeatures 1)Lowon-resistance 2)Fastswitching 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeplating;RoHScompliant lApplication Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6004RND3	文件：2.35152 Mbytes Page：14 Pages	型号：R6004RND3；Package：TO-252；Nch 600V 4A Power MOSFET Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6007RND3	文件：2.56734 Mbytes Page：14 Pages	型号：R6007RND3；Package：TO-252；Nch 600V 7A Power MOSFET Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6009E	文件：2.35526 Mbytes Page：16 Pages	型号：R6009END3；Package：TO-252；Nch 600V 9A Power MOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Drivecircuitscanbesimple. 4)Paralleluseiseasy. 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6009RND3	文件：2.35126 Mbytes Page：14 Pages	型号：R6009RND3；Package：TO-252；Nch 600V 9A Power MOSFET Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6011E	文件：2.45522 Mbytes Page：16 Pages	型号：R6011END3；Package：TO-252；Nch 600V 11A Power MOSFET Features 1)Lowon-resistance 2)Lowradiationnoise 3)Drivecircuitscanbesimple 4)Paralleluseiseasy 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6011K	文件：2.27754 Mbytes Page：16 Pages	型号：R6011KND3；Package：TO-252；Nch 600V 11A Power MOSFET Features 1)Lowon-resistance 2)Ultrafastswitchingspeed 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6012JNJ	文件：2.31767 Mbytes Page：15 Pages	型号：R6012JNJ；Package：LPTS；Nch 600V 12A Power MOSFET Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switchingapplications	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6012JNX	文件：2.26505 Mbytes Page：15 Pages	型号：R6012JNX；Package：TO-220FM；Nch 600V 12A Power MOSFET Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switchingapplications	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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