型号：R6011END3；Package：TO-252；Nch 600V 11A Power MOSFET

Features 1) Low on-resistance 2) Low radiation noise 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching

文件：2.45522 Mbytes 页数：16 Pages

ROHM

罗姆

型号：R6011END3；Package：TO-252；Nch 600V 11A Power MOSFET

Features 1) Low on-resistance 2) Low radiation noise 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching

文件：2.45522 Mbytes 页数：16 Pages

ROHM

罗姆

型号：R6011ENJ；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：299.45 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

型号：R6011END3；isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.39Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

文件：299.27 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

型号：R6011ENJ；Nch 600V 11A Power MOSFET

文件：2.49291 Mbytes 页数：14 Pages

ROHM

罗姆

型号：R6011ENX；Nch 600V 11A Power MOSFET

文件：2.49747 Mbytes 页数：14 Pages

ROHM

罗姆

型号：R6011ENX；isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：296.53 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

型号：R6011ENX；N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件：1.07013 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体