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R6011END3	文件：2.45522 Mbytes Page：16 Pages	丝印：R6011E；Package：TO-252；Nch 600V 11A Power MOSFET Features 1) Low on-resistance 2) Low radiation noise 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching 文件：2.45522 Mbytes 页数：16 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6011END3	文件：299.27 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.39Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6011END3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 11A 功率MOSFET R6011END3是非常适用于开关电源应用的功率MOSFET。 • Low on-resistance\n• Low radiation noise\n• Fast switching\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R61505W0F5QV	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS 原厂原装	RENESAS 瑞萨上传：深圳市赛尔通科技有限公司	RENESAS
R63309A0ENQV	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS/瑞萨 COG	RENESAS/瑞萨上传：深圳市宝隆宏业科技有限公司	RENESAS/瑞萨

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上海皇华信息科技有限公司	R6011END3TL1	ROHM Semiconductor	1848		2353	Rohm授权代理,自营现货	询价

更多R6011END3供应商更新时间2025-10-13 17:23:00