R6502END3芯片代码芯片丝印反查-114ic电子网

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
R6502END3	文件：2.17617 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6502END3；Package：TO-252；Nch 650V 3.05ohm(typ.) Power MOSFET Features 1) Low on-resistance 2) Fast switching 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant Application Switching 文件：2.17617 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6502END3	文件：2.17617 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6502END3；Package：TO-252；Nch 650V 3.05ohm(typ.) Power MOSFET Features 1) Low on-resistance 2) Fast switching 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant Application Switching 文件：2.17617 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6502END3TL1	文件：2.17617 Mbytes Page：14 Pages	Nch 650V 3.05ohm(typ.) Power MOSFET Features 1) Low on-resistance 2) Fast switching 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant Application Switching 文件：2.17617 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

更多R6502END3供应商更新时间2026-10-12 15:42:00