R6511END3芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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R6511END3	文件：2.13825 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6511E；Package：TO-252；Nch 650V 11A Power MOSFET 文件：2.13825 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6511END3	文件：2.13825 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6511E；Package：TO-252；Nch 650V 11A Power MOSFET 文件：2.13825 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6511END3	文件：298.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.4Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：298.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6511ENJ	文件：298.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：298.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6511ENX	文件：295.99 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.99 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多R6511E供应商更新时间2026-10-12 15:40:00