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R6511END3

650V 11A TO-252, 低噪声规格 功率MOSFET; • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n;

R6xxxENx系列是重视易用性,以低噪声性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在音响和照明等需要尽可能抑制噪声的应用中实现更优异的性能。

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

R6511END3

丝印:R6511E;Package:TO-252;Nch 650V 11A Power MOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

技术参数

  • 封装:

    TO-252

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    TO-252 (DPAK)

  • JEITA Package:

    SC-63

  • Applications:

    Power Supply

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    650

  • Drain Current ID[A]:

    11

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.36

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.36

  • Total gate charge Qg[nC]:

    32

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    124

  • Drive Voltage[V]:

    10

  • Trr (Typ.)[ns]:

    430

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    6.6x10.0 (t=2.4)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多R6511END3供应商 更新时间2025-7-29 14:07:00