R6509END3芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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R6509END3	文件：2.15066 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6509E；Package：TO-252；Nch 650V 9A Power MOSFET 文件：2.15066 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6509END3	文件：2.15066 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6509E；Package：TO-252；Nch 650V 9A Power MOSFET 文件：2.15066 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6509ENJ	文件：299.72 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6509END3	文件：299.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6509ENX	文件：296.79 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多R6509E供应商更新时间2025-9-19 12:00:00