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R6011KND3	文件：2.27754 Mbytes Page：16 Pages	丝印：R6011K；Package：TO-252；Nch 600V 11A Power MOSFET Features 1) Low on-resistance 2) Ultra fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching 文件：2.27754 Mbytes 页数：16 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6011KND3	文件：299.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.39Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6011KND3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 11A 功率MOSFET R6011KND3是非常适用于开关电源应用的功率MOSFET。 • Low on-resistance\n• Ultra fast switching speed\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R61505W0F5QV	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂原装	RENESAS 瑞萨上传：深圳市赛尔通科技有限公司	RENESAS
R61529A1FKQ	文件：0 bytes Page：0 Pages	COG	RENESAS/瑞萨上传：深圳市中飞凌科技有限公司	RENESAS/瑞萨

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
11
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.34
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.34
Total gate charge Qg[nC]：
22
Power Dissipation (PD)[W]：
124
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
355
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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