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R6012JNX	文件：2.26505 Mbytes Page：15 Pages	丝印：R6012JNX；Package：TO-220FM；Nch 600V 12A Power MOSFET Features 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching applications 文件：2.26505 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6012JNX	文件：319.34 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.39Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：319.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6012JNX	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 12A 功率MOSFET R6012JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. • Fast reverse recovery time (trr)\n• Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
RFOS6012	文件：351.28 Kbytes Page：4 Pages	GaAs Optical Receiver 45MHz to 1200MHz 文件：351.28 Kbytes 页数：4 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
RJK6012DPE	文件：77.23 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.77 Ω typ. (at ID = 5 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching 文件：77.23 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6012DPP	文件：77.37 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.77 Ω typ. (at ID = 5 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching 文件：77.37 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装：
TO-220FM
包装数量：
2000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-220FM
Applications：
Motor
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
12
RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)：
0.3
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.3
Total gate charge Qg[nC]：
30
Power Dissipation (PD)[W]：
60
Drive Voltage[V]：
15
Trr (Typ.)[ns]：
70
Mounting Style：
Leaded type
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x15.1 (t=4.8)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	R6012JNX	ROHM/罗姆	23+	TO-220	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
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更多R6012JNX供应商更新时间2025-10-6 11:10:00

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