丝印：R6002ENH；Package：SOP8；Nch 600V 2A Power MOSFET

lFeatures 1) Low on-resistance 2) Fast switching 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication Switching

文件：1.69183 Mbytes 页数：14 Pages

ROHM

罗姆

低噪声规格 Nch 600V 2A 功率MOSFET

R6xxxENx系列是重视易用性，以低噪声性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在音响和照明等需要尽可能抑制噪声的应用中实现高性能。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;

ROHM

罗姆

600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.7 Ω typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching

文件：69.33 Kbytes 页数：4 Pages

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching

文件：74.61 Kbytes 页数：4 Pages

RENESAS

瑞萨

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.08612 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体