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RJK6002DJE	文件：69.33 Kbytes Page：4 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6002DJE-00Z0	文件：69.33 Kbytes Page：4 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6002DJE_15	文件：69.33 Kbytes Page：4 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6002DPD	文件：74.61 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6002DPD	文件：1.08612 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RJK6002DPD	文件：1.77772 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RJK6002DPE	文件：82.89 Kbytes Page：7 Pages	600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RN6002	文件：94.37 Kbytes Page：3 Pages	MotorDriveCircuitApplications/PowerAmplifierApplications/PowerSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
S6002CS	文件：597.53 Kbytes Page：11 Pages	EVSeries2ASensitiveSCRs	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
S6002CSRP	文件：597.53 Kbytes Page：11 Pages	EVSeries2ASensitiveSCRs	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse

详细参数

型号：
RJK6002DJE
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
MOSFET
功能描述：
MOSFET - Tape and Reel
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 4A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市金芯世纪电子有限公司	RJK6002DJE	RENESAS/瑞萨	22+	TO-92Mod	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
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更多RJK6002DJE供应商更新时间2025-5-19 15:30:00

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