丝印：R6009E；Package：TO-252；Nch 600V 9A Power MOSFET

Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. 5) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching

文件：2.35526 Mbytes 页数：16 Pages

ROHM

罗姆

丝印：R6009E；Package：TO-252；Nch 600V 9A Power MOSFET

Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. 5) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching

文件：2.35526 Mbytes 页数：16 Pages

ROHM

罗姆

丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：299.57 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.54Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

文件：299.87 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

Nch 600V 9A Power MOSFET

文件：2.50059 Mbytes 页数：14 Pages

ROHM

罗姆

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：296.64 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件：1.1061 Mbytes 页数：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Nch 600V 9A Power MOSFET

文件：2.50004 Mbytes 页数：14 Pages

ROHM

罗姆