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R6009ENX

Nch 600V 9A Power MOSFET

文件:2.50004 Mbytes 页数:14 Pages

ROHM

罗姆

R6009ENX

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:296.64 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

R6009ENX

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.1061 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

R6009ENX

10V驱动型 Nch MOSFET

场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容,可满足多样的市场需求。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant;

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TO-220FM

  • 包装数量:

    1000

  • 最小独立包装数量:

    50

  • 包装形态:

    Tube

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    TO-220FM

  • Applications:

    Power Supply

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    600

  • Drain Current ID[A]:

    9

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.5

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.5

  • Total gate charge Qg[nC]:

    23

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    40

  • Drive Voltage[V]:

    10

  • Trr (Typ.)[ns]:

    380

  • Mounting Style:

    Leaded type

  • Bare Die Part Number:

    Available

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    10.1x15.1 (t=4.8)

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更多R6009ENX供应商 更新时间2022-6-12 10:12:00