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R6009RND3	文件：2.35126 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6009RND3；Package：TO-252；Nch 600V 9A Power MOSFET Features 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching 文件：2.35126 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6009RND3	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 9A TO-252, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode R6009RND3 is fast trr power MOSFET, suitable for switching applications. • Fast reverse recovery time(trr)\n• Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R61505W0F5QV	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS 原厂原装	RENESAS 瑞萨上传：深圳市赛尔通科技有限公司	RENESAS
R63309A0ENQV	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS/瑞萨 COG	RENESAS/瑞萨上传：深圳市宝隆宏业科技有限公司	RENESAS/瑞萨
R6657-14	文件：0 bytes Page：0 Pages	CONEXANT QFP	CONEXANT 上传：深圳市千科宇科技有限公司	CONEXANT

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
9
RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)：
0.51
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.51
Total gate charge Qg[nC]：
22
Power Dissipation (PD)[W]：
125
Drive Voltage[V]：
15
Trr (Typ.)[ns]：
55
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市盈慧通电子有限公司	R6009RND3	ROHM/罗姆	2511	TO-252(DPAK)	360000	电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价	询价
上海皇华信息科技有限公司	R6009RND3TL1	ROHM Semiconductor	2152		100	Rohm授权代理,自营现货	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	R6009RND3TL1	NK/南科功率	2025+	TO-252	986966	国产	询价
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江苏芯钻时代电子科技有限公司	R600CH18	WESTCODE	24+	MODULE	1000	全新原装现货	询价

更多R6009RND3供应商更新时间2025-10-8 12:00:00

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