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R6004END3	文件：2.20676 Mbytes Page：16 Pages	丝印：R6004E；Package：TO-252；Nch 600V 4A Power MOSFET 文件：2.20676 Mbytes 页数：16 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
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R6004END	文件：299.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.98Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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