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R6004ENX | Nch 600V 4A Power MOSFET 文件：812.27 Kbytes 页数：13 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM | |
R6004ENX | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.62 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
R6004ENX | 10V驱动型 Nch MOSFET 场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容，可满足多样的市场需求。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant; | ROHM 罗姆 | ROHM | |
Nch 600V 4A Power MOSFET 文件：2.23732 Mbytes 页数：14 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.43Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：349.48 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Nch 600V 4A Power MOSFET 文件：2.22909 Mbytes 页数：14 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM |
技术参数
- 封装：
TO-220FM
- 包装数量：
1000
- 最小独立包装数量：
50
- 包装形态：
Tube
- RoHS：
Yes
- Package Code：
TO-220FM
- Applications：
Power Supply
- Number of terminal：
3
- Polarity：
Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
- Drain Current ID[A]：
4
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.9
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.9
- Total gate charge Qg[nC]：
15
- Power Dissipation (PD)[W]：
40
- Drive Voltage[V]：
10
- Trr (Typ.)[ns]：
320
- Mounting Style：
Leaded type
- Bare Die Part Number：
Available
- Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
- Package Size [mm]：
10.1x15.1 (t=4.8)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
18+ |
1000 |
TO-220FM-3 |
询价 | |||
ROHM/罗姆 |
24+ |
TO-220F |
9000 |
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ROHM/罗姆 |
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SMD |
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23+ |
TO220F |
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TO-220FM-3 |
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