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R6004JNJ	文件：2.23732 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6004JNJ；Package：TL；Nch 600V 4A Power MOSFET 文件：2.23732 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6004JNJ	文件：349.48 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.43Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：349.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6004JNJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 4A 功率MOSFET R6004JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. • Fast reverse recovery time (trr)\n• Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R6004JNX	文件：2.22909 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 4A Power MOSFET 文件：2.22909 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6004JNX	文件：319 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.43Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：319 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6004KND	文件：2.14072 Mbytes Page：15 Pages	Nch 600V 4A Power MOSFET 文件：2.14072 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
LPTS (D2PAK)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package：
SC-83
Applications：
Motor
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
4
RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)：
1.1
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
1.1
Total gate charge Qg[nC]：
10.5
Power Dissipation (PD)[W]：
60
Drive Voltage[V]：
15
Trr (Typ.)[ns]：
45
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x13.1 (t=4.7)

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更多R6004JNJ供应商更新时间2025-10-9 13:42:00

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