丝印：NTHL080N120SC1；Package：TO-247；MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 1200 V, 80 m, 31 A

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ONSEMI

安森美半导体

丝印：NTHL080N120SC1A；Package：TO-247；MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 1200 V, 80 m, 31 A

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ONSEMI

安森美半导体

丝印：NTHL082N65S3F；Package：TO-247；MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 40 A, 82 m

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ONSEMI

安森美半导体

丝印：NTHL082N65S3HF；Package：TO-247；MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET

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ONSEMI

安森美半导体

丝印：NTHL095N65S3HF；Package：TO-247；MOSFET ??Power, N?륝hannel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 36 A, 95 m

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ONSEMI

安森美半导体

丝印：NTHL110N65S3F；Package：TO-247；MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 30 A, 110 m

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ONSEMI

安森美半导体

丝印：NTHL160N120SC1；Package：TO-247；MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 1200 V, 160 m, 17 A

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ONSEMI

安森美半导体

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ONSEMI

安森美半导体

丝印：NTHLD040N65S3HF；Package：TO-247；MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 65 A, 40 m

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ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 27.4mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · UPS · Telecom / Server Power Supplies

文件：359.97 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电