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NTHL160N120SC1	文件：303.4 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=203nC) •Capacitance(Coss=260pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •UPS •DC−DCConverter •Boos	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL160N120SC1	文件：306.25 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=50pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •UPS •DC−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL160N120SC1	文件：308.69 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=50pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •UPS •DC−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL160N120SC1	文件：304.71 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=203nC) •Capacitance(Coss=260pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •UPS •DC−DCConverter •Boost	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL160N120SC1	文件：236.88 Kbytes Page：7 Pages	Marking：NTHL160N120SC1；Package：TO-247；MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 1200 V, 160 m, 17 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL160N120SC1_V01	文件：306.25 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=50pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •UPS •DC−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL160N120SC1_V02	文件：308.69 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=50pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •UPS •DC−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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