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NTHL160N120SC1_V02	文件：308.69 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=50pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •UPS •DC−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG160N120SC1_V02	文件：325.82 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,160mohm,1200V,M1,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=33.8nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=50.7pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L

Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=50pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •UPS •DC−

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SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,160mohm,1200V,M1,D2PAK-7L

Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=33.8nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=50.7pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection)

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