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NTJD4001NT1G

Small Signal MOSFET

Small Signal MOSFET 30 V, 250 mA, Dual N−Channel, SC−88 Features • Low Gate Charge for Fast Switching • Small Footprint − 30 Smaller than TSOP−6 • ESD Protected Gate • Pb−Free Package for Green Manufacturing (G Suffix) Applications • Low Side Load Switch • Li−Ion Battery Supplied Devices −

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ONSEMI

安森美半导体

NTJD4001NT1G

Small Signal MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTS4001NT1

Small Signal MOSFET

Small Signal MOSFET 30 V, 270 mA, Single N−Channel, SC−70 Features • Low Gate Charge for Fast Switching • Small Footprint − 30 Smaller than TSOP−6 • ESD Protected Gate • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NVS4001N • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Applications • Low Si

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ONSEMI

安森美半导体

NTS4001NT1G

Small Signal MOSFET

Small Signal MOSFET 30 V, 270 mA, Single N−Channel, SC−70 Features • Low Gate Charge for Fast Switching • Small Footprint − 30 Smaller than TSOP−6 • ESD Protected Gate • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NVS4001N • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Applications • Low Si

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ONSEMI

安森美半导体

NTS4001NT1G

Small Signal MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTJD4001NT1G

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 250mA Dual N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT363
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SOT-363
23100
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更多NTJD4001NT1G供应商 更新时间2025-11-30 13:00:00