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NTJS3157NT1G

Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N?묬hannel, SC??8

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTJS3157NT1G

Trench Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTJS3157NT1

TrenchPowerMOSFET20V,4.0A,SingleN?묬hannel,SC??8

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号:

    NTJS3157NT1G

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 4A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON-SEMI
22+
N/A
21000
原装正品 香港现货
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原装
25+
SOT-363
20300
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SOT363
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ON/安森美
22+
SOT363
30000
原装正品
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65000
原装正品 可含税交易
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ON/安森美
24+
SOT-363
35948
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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ON/安森美
2410+
80000
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更多NTJS3157NT1G供应商 更新时间2025-7-12 15:08:00