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NTLUD3A260PZTAG

Power MOSFET ??0 V, ??.1 A,Cool Dual P?묬hannel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package

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ONSEMI

安森美半导体

NTLUD3A260PZTBG

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安森美半导体

NTLUD3A260PZ

Power MOSFET ??0 V, ??.1 A,Cool Dual P?묬hannel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package

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ONSEMI

安森美半导体

NTMD5838NLR2G

ON
SOIC-8

ON

NTMFD0D9N02P1E

ONSEMI

ONSEMI

安森美半导体

上传:天津市博通航睿技术有限公司

详细参数

  • 型号:

    NTLUD3A260PZTAG

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTLUD3A260PZTAG供应商 更新时间2025-10-9 18:51:00