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NTMFS4833NT3G	文件：75.29 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Channel, SO-8 FL MOSFET – Power, Single, N-Channel, SO-8FL 30 V, 191 A Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • These are Pb−Free Devices Applications • Refer to Application Note AND8195/D • CPU P 文件：75.29 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4833NT3G	文件：121.66 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30V 191A Single N-Channel, SO-8FL 文件：121.66 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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更多NTMFS4833NT3G供应商更新时间2025-12-10 17:06:00