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NTMS5835NLR2G

Power MOSFET 40 V, 12 A, 10 m These Devices are Pb?묯ree, Halogen Free/

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTMS5835NLR2G

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    NTMS5835NLR2G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET SO8-S 40V 10mOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTMS5835NLR2G供应商 更新时间2025-7-21 15:20:00