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NTMS5835NLR2G数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTMS5835NLR2G

功能描述

Power MOSFET 40 V, 12 A, 10 m These Devices are Pb−Free, Halogen Free/

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 10:31:00

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技术参数

  • 型号:

    NTMS5835NLR2G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET SO8-S 40V 10mOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON Semiconductor
22+
8SOIC
9000
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ONSEMI/安森美
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