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NTP5860NLG

N-Channel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NVB5860N

N-Channel Power MOSFET

文件:123.72 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVB5860N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 220A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:345.38 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NVB5860NL

N-Channel Power MOSFET

文件:122.23 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTP5860NLG

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTP5860NLG供应商 更新时间2025-10-4 8:01:00