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NTP5860NLG

N-Channel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NVB5860N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=220A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

NVB5860N

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NVB5860NL

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

PLP5860RKPR

LP586011횞18LEDMatrixDriverwith8-bitAnalogand8-/16-bitPWMDimming

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

PLP5860TRKPR

LP5860T11×18LEDHigh-CurrentMatrixDriverwith8-BitAnalogand8-Bitor16-BitPWMDimming

1Features •LEDmatrixtopology: –18constantcurrentsinkswith11scanswitches for198LEDdots –Configurablefor1to11scanswitches •Operatingvoltagerange: –VCC/VLEDrange:2.7Vto5.5V –Logicpinscompatiblewith1.8V,3.3V,and5V •18constantcurrentsinkswithhigh

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

S5860

S5860SeriesSwitches

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

SZ5860

5.0WATT6.8-270VOLTSZENERDIODES

SSDI

Solid States Devices, Inc

TCO-5860

TCXOMINIATURESIZELOWPROFILE

TCO-5860series •Frequencyrange:10MHzto40MHz •Supplyvoltage:2.8VTyp. •Frequency/temperaturecoefficient:±2×10-6Max. •Externaldimensions:3.2×2.5×0.9tmmTyp. •Applications:Cellularphone(WiMAX,CDMA,WCDMA) •Features:Lowcurrentconsumptio

EPSONTOYOCOMEpson ToYoCom

爱普生爱普生拓优科梦

TD5860

SourceandSink1.5A/2AFastTransientResponseLineRegulator

TECHCODETECHCODE SEMICONDUCTOR, INC.

泰德美国泰德半导体有限公司

详细参数

  • 型号:

    NTP5860NLG

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTP5860NLG供应商 更新时间2025-7-11 15:11:00