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NTP6410ANG	文件：150.44 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP6410ANG	文件：87.02 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUF6410MN	文件：76.15 Kbytes Page：4 Pages	6LineEMIFilterwithESDProtection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUF6410MN	文件：148.71 Kbytes Page：6 Pages	6-ChannelEMIFilterwithIntegratedESDProtection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVB6410AN	文件：87.02 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NX6410GH	文件：190.65 Kbytes Page：7 Pages	1490nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6410GH	文件：178.08 Kbytes Page：8 Pages	LASERDIODE1490nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEFOR2.5Gb/sFTTHPONAPPLICATION DESCRIPTION TheNX6410GHisa1490nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD. FEATURES •OpticaloutputpowerPo=14.0mW •Lowthresholdcurrentlth=10mA •Differentialefficiencyηd=0.3W/A •Wideoperatingtemperatu	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6410GH-AZ	文件：190.65 Kbytes Page：7 Pages	1490nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.	CEL California Eastern Labs	CEL
PX6410	文件：550.87 Kbytes Page：3 Pages	Multi-RateVCSELDriver Description ThegrowinguseoftheInternethascreatedincreasinglyhigherdemandformulti-Gb/sI/Operformance.Thedemandfor10+Gb/sWANbandwidthfuelsthegrowthofshort-reach10Gb/sinfrastructureswithinhigh-endtelcoanddatacomrouters,switches,serversandotherproprietarychass	ZARLINK Zarlink Semiconductor	ZARLINK
RSB-6410	文件：3.14663 Mbytes Page：4 Pages	NXPARM®Cortex®-A9i.MX6Dual/QuadMini-ITXMotherboard Features NXPARM®Cortex®-A9i.MX6Dual/Quad1GHzhighperformanceprocessor OnboardDDR31066MHz1GB/2GBmemoryand8GBEMMCNANDflash SupportsTripleDisplay:VGA/HDMI/LVDS Supports1xPCIe,1xmini-PCIe,5xserialports,6xUSB,1xM.2socket, 18xGPIO,1xCAN Lowpower	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH

详细参数

型号：
NTP6410ANG
功能描述：
MOSFET NFET TO220 100V 76A 13MOH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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