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NTP5863NG

N-Channel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NVD5863NL

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=82A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.1mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

NVD5863NL

SingleN?묬hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

PJQ5863A-AU

60VDualP-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ●RDS(ON),VGS@-10V,ID@-7.5A

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

S5863

ISDNS-INTERFACETRANSFORMER

BOTHHAND

Bothhand USA

UG5863

MAXREFDES27#IO-LinkProximitySensorQuickStartGuide

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半导体

详细参数

  • 型号:

    NTP5863NG

  • 功能描述:

    MOSFET NFET TO220 60V 76A 8MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTP5863NG供应商 更新时间2025-7-18 14:30:00