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NTP5863NG | N-Channel Power MOSFET 文件：110.09 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
Single N?묬hannel Power MOSFET 文件：138.5 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 82A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60 V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.1mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：261.12 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ● RDS(ON), VGS@-10V, ID@-7.5A 文件：409.11 Kbytes 页数：6 Pages | PANJIT 強茂 | PANJIT |
详细参数
- 型号：
NTP5863NG
- 功能描述：
MOSFET NFET TO220 60V 76A 8MOHM
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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更新时间2025-12-20 14:30:00
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