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NTR0202PLT1	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -20 V, -400 mA, P-Channel SOT-23 Package PowerMOSFET −20V,−400mA,P−ChannelSOT−23Package Features •LowRDS(on)ProvidesHigherEfficiencyandExtendsBatteryLife RDSon=0.80Ω,VGS=−10V RDSon=1.10Ω,VGS=−4.5V •MiniatureSOT−23SurfaceMountPackageSavesBoardSpace •Pb−FreePackagesareAvailable Applicat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTR0202PLT1	文件：141.73 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET -20 V, -400 mA, P-Channel SOT-23 Package	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTR0202PLT1G	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -20 V, -400 mA, P-Channel SOT-23 Package PowerMOSFET −20V,−400mA,P−ChannelSOT−23Package Features •LowRDS(on)ProvidesHigherEfficiencyandExtendsBatteryLife RDSon=0.80Ω,VGS=−10V RDSon=1.10Ω,VGS=−4.5V •MiniatureSOT−23SurfaceMountPackageSavesBoardSpace •Pb−FreePackagesareAvailable Applicat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTR0202PLT1G	文件：141.73 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET -20 V, -400 mA, P-Channel SOT-23 Package	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTR0202PLT1G	文件：1.03542 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTR0202PLT1G	文件：99.55 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTR0202PLT1G	文件：127.7 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET ??0 V, ??00 mA, P?묬hannel SOT??3 Package	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NTR0202PLT1
功能描述：
MOSFET -20V -400mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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