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NTR0202PLT1G

Power MOSFET -20 V, -400 mA, P-Channel SOT-23 Package

Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package Features • Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life RDSon = 0.80Ω, VGS = −10 V RDSon = 1.10Ω, VGS = −4.5 V • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Packages are Available Applicat

文件:54.71 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTR0202PLT1G

Power MOSFET -20 V, -400 mA, P-Channel SOT-23 Package

文件:141.73 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTR0202PLT1G

Power MOSFET

文件:99.55 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTR0202PLT1G

Power MOSFET ??0 V, ??00 mA, P?묬hannel SOT??3 Package

文件:127.7 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTR0202PLT1G

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:1.03542 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    NTR0202PLT1G

  • 功能描述:

    MOSFET -20V -400mA P-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTR0202PLT1G供应商 更新时间2025-10-8 15:01:00