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NTP6412ANG	文件：145.42 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 m廓文件：145.42 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP6412ANG	文件：87 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：87 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP6412ANG	文件：147.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：147.88 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVB6412AN	文件：147.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：147.88 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
PJS6412	文件：510.69 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@8A 文件：510.69 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
S6412	文件：124.14 Kbytes Page：1 Pages	5 watt; pin-based Compact Fluorescent; 4100K; 82 CRI; 2G7 base 文件：124.14 Kbytes 页数：1 Pages	SATCO	SATCO

详细参数

型号：
NTP6412ANG
功能描述：
MOSFET NFET TO220 100V 72A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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