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NTP6413ANG	文件：149.2 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 m廓文件：149.2 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP6413ANG	文件：85.49 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：85.49 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP6413ANG	文件：123.13 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 m 文件：123.13 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP6413ANG	文件：1.59726 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：1.59726 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTP6413ANG	文件：948.42 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：948.42 Kbytes 页数：3 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

详细参数

型号：
NTP6413ANG
功能描述：
MOSFET NFET TO220 100V 42A 28MOH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NTP6413ANG供应商更新时间2025-10-6 16:12:00

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