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NTR1P02LT1G	文件：465.56 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTR1P02LT1G	文件：46.66 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTR1P02LT1G	文件：124.32 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET -20 V, -1.3 A, P-Channel SOT-23 Package	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTR1P02LT1G	文件：209.55 Kbytes Page：2 Pages	??0 V, ??.3 A, P?묬hannel SOT??3 Package	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
NTR1P02LT1G	文件：95.17 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGSF1P02LT1	文件：82.08 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET750mAmps,20Volts PowerMOSFET750mAmps,20Volts P–ChannelSOT–23 TheseminiaturesurfacemountMOSFETslowRDS(on)assureminimalpowerlossandconserveenergy,makingthesedevicesidealforuseinspacesensitivepowermanagementcircuitry.Typicalapplicationsaredc–dcconvertersandpowermanagemen	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGSF1P02LT1	文件：195.87 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENT-MODETMOSMOSFET PartoftheGreenLine™Portfolioofdeviceswithenergy–conservingtraits. TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeMotorola’sHighCellDensity,HDTMOSprocess.LowrDS(on)assuresminimalpowerlossandconservesenergy,makingthisdeviceidealforuseinspacesensitivepowermana	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
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详细参数

型号：
NTR1P02LT1G
功能描述：
MOSFET -20V -1.3A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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