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NTS4101PT1G	文件：128.449 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET -20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTS4101PT1G	文件：1.01707 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTHS4101PT1	文件：59.42 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET-20V,6.7A,P-ChannelChipFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTR4101PT1	文件：56.55 Kbytes Page：6 Pages	TrenchPowerMOSFET-20V,SingleP-Channel,SOT-23 Features •Leading−20VTrenchforLowRDS(on) •−1.8VRatedforLowVoltageGateDrive •SOT−23SurfaceMountforSmallFootprint •Pb−FreePackageisAvailable Applications •Load/PowerManagementforPortables •Load/PowerManagementforComputing •ChargingCircuitsandBatteryProte	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NTS4101PT1G
功能描述：
MOSFET -20V -1.37A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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