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NTP2955G	文件：147.29 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET ??0 V, ??2 A, Single P?묬hannel, TO??20 PowerMOSFET −60V,−12A,SingleP−Channel,TO−220 Features •LowRDS(on) •RuggedPerformance •FastSwitching •ThesearePb−FreeDevices* Applications •Industrial •Automotive •PowerSupplies	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NTP2955G	文件：78.56 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET PowerMOSFET −60V,−12A,SingleP−Channel,TO−220 Features •LowRDS(on) •RuggedPerformance •FastSwitching •ThesearePb−FreeDevices* Applications •Industrial •Automotive •PowerSupplies	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NTP2955G	文件：951.27 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
2955	文件：52.5 Kbytes Page：3 Pages	1500MHzCenterFrequency	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.
2955	文件：401.38 Kbytes Page：1 Pages	WireConnectors	Heyco Heyco
2955-SMA	文件：72.2 Kbytes Page：3 Pages	1500MHzBandpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.
AD-2955	文件：277.44 Kbytes Page：1 Pages	ADSLLINETRANSFORMER	BOTHHAND Bothhand USA
C2955	文件：67.31 Kbytes Page：2 Pages	INFRAREDICINTERNALINSPECTIONSYSTEM TheC2955isanICinternalinspectionsystemincorporatinganinfraredmicroscopeandaninfraredCCDcamera.UseofanewlydevelopedinfraredCCDcameraenablesahighsensitivityapproximatelytentimesthatofconventionalsystems(incomparisonsbyHAMAMATSU),atawavelengthof1.0µm,maki	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社
CJD2955	文件：542.02 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCJD2955andCJD3055arecomplementarysiliconpowertransistorsmanufacturedbytheepitaxialbaseprocess,mountedinasurfacemountpackage,anddesignedforhighcurrentamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
CJD2955	文件：425.65 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
CJD2955PNP	文件：563.03 Kbytes Page：2 Pages	siliconpowertransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
CJF2955	文件：228.22 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARPOWERTRANSISTORS	CDIL CDIL
CJF2955	文件：295.3 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARPOWERTRANSISTORS	CDIL CDIL
CJF2955PNP	文件：228.22 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARPOWERTRANSISTORS	CDIL CDIL
CZT2955	文件：604.22 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
CZT2955	文件：604.22 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
CZT2955	文件：39.04 Kbytes Page：1 Pages	2.0WSurfaceMountComplementaryPNPSiliconPowerTransistor Features ●Highcurrent(max.6A). ●Lowvoltage(max.60V).	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
CZT2955	文件：74.59 Kbytes Page：2 Pages	2.0WSURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT2955andCZT3055typesaresurfacemountepoxymoldedcomplementarysilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforsurfacemountedpoweramplifierapplicationsupto6.0amps. MARKINGCODE:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
CZT2955PNP	文件：74.59 Kbytes Page：2 Pages	2.0WSURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT2955andCZT3055typesaresurfacemountepoxymoldedcomplementarysilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforsurfacemountedpoweramplifierapplicationsupto6.0amps. MARKINGCODE:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
DT2955	文件：74.73 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features ●HighCellDensityDMOSTechnology ●LowOn-StateResistance ●HighPowerandCurrentCapability ●FastSwitchingSpeed ●HighTransientTolerance	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

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详细参数

型号：
NTP2955G
功能描述：
MOSFET -60V -12A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NTP2955G供应商更新时间2024-4-28 16:36:00

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