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NTMS10P02R2G

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •BuiltinESDProtectionwithZenerDiode •TypicalESDPerformance:1800V •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PortableDevices -LoadSwitch -BatterySw

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

NTMS10P02R2G

Power MOSFET ??0 Amps, ??0 Volts P?묬hannel Enhancement?묺ode

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTMS10P02R2

P-ChannelMOSFET

■Features ●VDS(V)=-20V ●ID=-10A(VGS=-10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

NTMS10P02R2

PowerMOSFET-10Amps,-20VoltsP?묬hannelEnhancement?묺odeSingleSO??Package

MOSFET–Power,Single,P-Channel,EnhancementMode,SOIC-8-10Amps,-20Volts Features •UltraLowRDS(on) •HigherEfficiencyExtendingBatteryLife •LogicLevelGateDrive •MiniatureSOIC−8SurfaceMountPackage •DiodeExhibitsHighSpeed,SoftRecovery •AvalancheEnergySpecified

ONSEMION Semiconductor

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NTMS10P02R2

PowerMOSFET??0Amps,??0VoltsP?묬hannelEnhancement?묺ode

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详细参数

  • 型号:

    NTMS10P02R2G

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 10A P-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTMS10P02R2G供应商 更新时间2025-7-14 13:52:00