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NTMS10P02R2G

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Built in ESD Protection with Zener Diode • Typical ESD Performance: 1800 V • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Portable Devices - Load Switch - Battery Sw

文件:1.025819 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTMS10P02R2G

Power MOSFET ??0 Amps, ??0 Volts P?묬hannel Enhancement?묺ode

文件:180.7 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMS10P02R2

P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-10 A (VGS =-10V) ● RDS(ON)

文件:1.69462 Mbytes 页数:5 Pages

KEXIN

科信电子

NTMS10P02R2

Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P?묬hannel Enhancement?묺ode Single SO?? Package

MOSFET – Power, Single, P-Channel, Enhancement Mode, SOIC-8 -10 Amps, -20 Volts Features • Ultra Low RDS(on) • Higher Efficiency Extending Battery Life • Logic Level Gate Drive • Miniature SOIC−8 Surface Mount Package • Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery • Avalanche Energy Specified

文件:92.28 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMS10P02R2

Power MOSFET ??0 Amps, ??0 Volts P?묬hannel Enhancement?묺ode

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ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTMS10P02R2G

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 10A P-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTMS10P02R2G供应商 更新时间2025-10-6 10:03:00