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NTMS10P02R2G规格书详情
FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100 Rg Tested
• Built in ESD Protection with Zener Diode
• Typical ESD Performance: 1800 V
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
• Portable Devices
- Load Switch
- Battery Switch
- Charger Switch
产品属性
- 型号：
NTMS10P02R2G
- 功能描述：
MOSFET 20V 10A P-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+/25+ |
8764 |
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询价 | |||
ONSEMI/安森美 |
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ONSEMI/安森美 |
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ON |
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ON |
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ON |
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ON/安森美 |
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SOP-8 |
50000 |
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