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NTJS4151PT1G

Trench Power MOSFET ??0 V, ??.2 A, Single P?묬hannel, SC??8

文件:143.67 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS4151PT1G

Trench Power MOSFET

文件:121.64 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS4151PT1G

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:1.05715 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTA4151PT1

Small Signal MOSFET ??0 V, ??60 mA, Single P?묬hannel, Gate Zener, SC??5, SC??9

文件:72.26 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTA4151PT1G

Small Signal MOSFET ??0 V, ??60 mA, Single P?묬hannel, Gate Zener, SC??5, SC??9

文件:72.26 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTA4151PT1G

Small Signal MOSFET

文件:76.46 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTJS4151PT1G

  • 功能描述:

    MOSFET -20V -4.2A P-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
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5632
2015
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更多NTJS4151PT1G供应商 更新时间2025-9-30 15:45:00