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NTMFS4835NT1G	文件：142.35 Kbytes Page：7 Pages	Marking：4835N；Package：SO-8FL；Power MOSFET 30 V, 104 A, Single N?묬hannel, SO??FL MOSFET–Power,Single,N-Channel,SO-8FL30V,104A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses •ThesearePb−FreeDevices Applications •RefertoApplicationNoteAND8195/D •CPUP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4835NT1G	文件：145.92 Kbytes Page：7 Pages	Marking：4835N；Package：SO-8FL；Power MOSFET 30V 104A Single N-Channel, SO-8FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTMFS4835NT1G

文件：142.35 Kbytes

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Marking：4835N；Package：SO-8FL；Power MOSFET 30 V, 104 A, Single N?묬hannel, SO??FL

MOSFET–Power,Single,N-Channel,SO-8FL30V,104A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses •ThesearePb−FreeDevices Applications •RefertoApplicationNoteAND8195/D •CPUP

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NTMFS4835NT1G

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Marking：4835N；Package：SO-8FL；Power MOSFET 30V 104A Single N-Channel, SO-8FL

ONSEMION Semiconductor

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ONSEMI

详细参数

型号：
NTMFS4835NT1G
功能描述：
MOSFET NFET SO8FL 30V 104A 3.5mOhm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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