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NTLJD3115PT1G

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTLJD3115PT1G

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

TPNTLJD3115PT1G

DUALP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Application «ReverseBatteryprotection «Loadswitch «Powermanagement «MotorControl «PortablePowerAdaptors

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    NTLJD3115PT1G

  • 功能描述:

    MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
24+
DFN6
45000
热卖优势现货
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ON
24+
QFN
23000
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ON
20+
WDFN-6
18000
全新原装公司现货
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ON
24+
NA
39500
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ON/安森美
2019+PB
DFN6
6500
原装正品 可含税交易
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ON/安森美
2021+
DFN6
9000
原装现货,随时欢迎询价
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onsemi(安森美)
24+
DFN-6(2x2)
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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ON/安森美
SMD
23+
6000
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ON/安森美
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DFN-6
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ON
2024+
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更多NTLJD3115PT1G供应商 更新时间2025-5-2 10:12:00