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NTLJD3115PT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
NTLJD3115PT1G
- 功能描述：
MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
WDFN-6 |
7144 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
QFN |
18560 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
WDFN-6 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
WDFN-6 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON |
23+ |
QFN |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ON |
23+24 |
QFN |
28950 |
专营原装正品SMD二三极管,电源IC |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
69000 |
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询价 | ||
ONSemicon |
NA |
16355 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
QFN |
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