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NTK3134NT1G	文件：59.25 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 20 V, 890 mA, Single N?묬hannel with ESD Protection, SOT??23 MOSFET–Power,Single,N-ChannelwithESDProtection,SOT-72320V,890mA Features •N−ChannelSwitchwithLowRDS(on) •44SmallerFootprintand38ThinnerthanSC89 •LowThresholdLevelsAllowing1.5VRDS(on)Rating •OperatedatLowLogicLevelGateDrive •TheseDevicesarePb−Free,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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TPNTK3134NT1G	文件：920.89 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMosfet Application Load/Powerswitch Interfacing,logicswitching Batterymanagementforultraprotable electronics	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

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NTK3134NT1G

文件：59.25 Kbytes

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Power MOSFET 20 V, 890 mA, Single N?묬hannel with ESD Protection, SOT??23

MOSFET–Power,Single,N-ChannelwithESDProtection,SOT-72320V,890mA Features •N−ChannelSwitchwithLowRDS(on) •44SmallerFootprintand38ThinnerthanSC89 •LowThresholdLevelsAllowing1.5VRDS(on)Rating •OperatedatLowLogicLevelGateDrive •TheseDevicesarePb−Free,

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

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N-ChannelMosfet

Application Load/Powerswitch Interfacing,logicswitching Batterymanagementforultraprotable electronics

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

TECHPUBLIC

详细参数

型号：
NTK3134NT1G
功能描述：
MOSFET 20V/6V N CH T1 890mA 0.3
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NTK3134NT1G供应商更新时间2025-7-12 14:14:00

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