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NTMD3P03R2G

Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NTMD3P03R2G

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

NTMD3P03R2G

Power MOSFET Dual P-Channel SOIC-8

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NTMD3P03R2G

Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

NTMD3P03R2

PowerMOSFET-3.05Amps,-30Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NTMD3P03R2

PowerMOSFET-3.05Amps,-30Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NTMD3P03R2

PowerMOSFETDualP-ChannelSOIC-8

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NTMS3P03R2

PowerMOSFET-3.05Amps,-30Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NTMS3P03R2G

PowerMOSFET-3.05Amps,-30Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NVMD3P03R2G

PowerMOSFETDualP-ChannelSOIC-8

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

  • 型号:

    NTMD3P03R2G

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 3.05A P-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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更多NTMD3P03R2G供应商 更新时间2024-4-27 14:14:00