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NTJD5121NT1G

Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTJD5121NT1G

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

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NTJD5121NT1G

Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N?묬hannel with ESD

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTJD5121NT1G

Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

NTJD5121NT1G-001

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号:

    NTJD5121NT1G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET SC88D 60V 295mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTJD5121NT1G供应商 更新时间2025-7-30 16:30:00