NTJD5121NT1G数据手册原装现货安森美半导体-114ic电子网

首页 >NTJD5121NT1G>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
NTJD5121NT1G	文件：82.1 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NTJD5121NT1G	文件：75.2 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NTJD5121NT1G	文件：108.27 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N?묬hannel with ESD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NTJD5121NT1G	文件：945.39 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
NTJD5121NT1G-001	文件：71.32 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NVJD5121NT1G	文件：69.74 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFETDualN?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NVJD5121NT1G	文件：75.2 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

型号：
NTJD5121NT1G
功能描述：
MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明盛嘉电子科技有限公司	NTJD5121NT1G	ON/安森美	21+	SOT363	50000	原装现货/假一赔十/支持第三方检验	询价
深圳市盈腾兴电子科技有限公司	NTJD5121NT1G	ON	22+	N/A	10000	原装,现货	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	NTJD5121NT1G	ON	22+	N/A	10000	正规渠道,只有原装!	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	NTJD5121NT1G	ON/安森美	22+	SOT363	266000	原装正品	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	NTJD5121NT1G	ON/安森美	23+	SOT-363	45000	热卖优势现货	询价
深圳诚思涵科技有限公司	NTJD5121NT1G	ON	16+	SOT-363	21532	进口原装现货/价格优势!	询价
深圳市龙瀚电子有限公司	NTJD5121NT1G	ON	11+	SMD	62000	原装正品现货优势18	询价
深圳市壹芯创科技有限公司	NTJD5121NT1G	ON	22+	SOT-363	23000	全新原装现货,量大特价,原厂正规渠道!	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	NTJD5121NT1G	ON/安森美	2019+	SOT-363	78550	原厂渠道可含税出货	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	NTJD5121NT1G	ON/安森美	2021+	SOT-363	3580	原装现货/15年行业经验欢迎询价	询价

更多NTJD5121NT1G供应商更新时间2024-4-19 13:52:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263、8246-9723
Fax：+86-755-8246-9723-808
Email：114ic＠114ic.com
上传库存：stock＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号