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NTK3043NT1G	文件：60.56 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 20 V, 285 mA, N?묬hannel with ESD Protection, SOT??23 Features •EnablesHighDensityPCBManufacturing •44SmallerFootprintthanSC−89and38ThinnerthanSC−89 •LowVoltageDriveMakesthisDeviceIdealforPortableEquipment •LowThresholdLevels,VGS(TH)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTK3043NT1G

文件：60.56 Kbytes

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Power MOSFET 20 V, 285 mA, N?묬hannel with ESD Protection, SOT??23

Features •EnablesHighDensityPCBManufacturing •44SmallerFootprintthanSC−89and38ThinnerthanSC−89 •LowVoltageDriveMakesthisDeviceIdealforPortableEquipment •LowThresholdLevels,VGS(TH)

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NTK3043NT1G

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Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
NTK3043NT1G
功能描述：
MOSFET NFET 20V 285mA TR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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